**Potencial para reduzir custos de BOS**: Esta série de componentes tem grande potencial para reduzir os custos de BOS (componentes externos do sistema) e gerar maiores benefícios econômicos para os investidores.
**Desempenho de referência da indústria de semicondutores**: Esta série de componentes utiliza tamanhos de wafers de silício de referência da indústria de semicondutores, garantindo o mais alto nível de desempenho e custo-benefício.
**Potência de saída otimizada**: A aplicação da tecnologia de encapsulamento de alta densidade otimiza a potência de saída, melhorando assim o desempenho dos módulos solares.
**Eficiência de geração de energia elevada e sustentada**: A baixa taxa de atenuação deste componente garante uma eficiência de geração de energia elevada e contínua, criando mais energia limpa para os usuários.
| Número do produto | 415 | 420 | 425 | 430 | 435 |
| garantia de qualidade | Garantia de 15 anos contra defeitos de fabricação. | ||||
| garantia de qualidade do produto | Garantia de energia de 30 anos | ||||
| Potência de saída garantida | Degradação de 1% no primeiro ano, atenuação de potência anual de 0,4%. | ||||
| Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 415 Wp | 420 Wp | 425 Wp | 430 Wp | 435 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 41 V | 41,3 V | 41,5 V | 41,8 V | 42 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 10.11 A | 10.17 A | 10.24 A | 10.3 A | 10,36 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 49,4 V | 49,7 V | 49,9 V | 50,3 V | 50,6 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 10,64 A | 10,69 A | 10,74 A | 10,81 A | 10,86 A |
| Eficiência do componente | 20,80% | 21% | 21,30% | 21,50% | 21,80% |
| Desvio de potência (positivo) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
| Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 313 Wp | 317 Wp | 320 Wp | 325 Wp | 328 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 38,5 V | 38,7 V | 39 V | 39,3 V | 39,5 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 8.13 A | 8.17 A | 8.21 A | 8,27 A | 8.3 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 46,5 V | 46,8 V | 46,9 V | 47,3 V | 47,6 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 8,58 A | 8,61 A | 8,65 A | 8,71 A | 8,75 A |
| temperatura máxima de durabilidade | 43±2 °C | ||||
| características de temperatura | |||||
| Temperatura de operação | -40~85 °C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,25 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,04 %/°C | ||||
| Parâmetros de integração do sistema | |||||
| tensão do sistema | 1500 V | ||||
| Corrente nominal do fusível | 20 A | ||||
| parâmetros físicos | |||||
| Dimensões do componente (altura/largura/espessura) | 1762x1134x30 mm | ||||
| peso | 21,8 kg | ||||
| Tipo de célula | silício monocristalino | ||||
| Quantidade de células | 144 | ||||
| tipo de vidro | Revestimento antirreflexo temperado | ||||
| Tipo de material de vedação | EVA | ||||
| tipo de borda | Liga de alumínio anodizado | ||||
| Classe de proteção da caixa de junção | IP 68 | ||||
| tipo de conector | MC4 | ||||
| Seção transversal do cabo | 4 mm² | ||||