1. Os módulos PANDA 3.0 utilizam a tecnologia de ponta em células monocristalinas TOPCon do tipo n. Com materiais de encapsulamento de alta qualidade e estrutura clássica de vidro na parte traseira, os módulos PANDA 3.0 são perfeitamente adequados para ambientes agressivos, proporcionando alta confiabilidade e garantia de qualidade.
2. A fita de solda invisível de ângulo amplo cria componentes de alto desempenho e com ótima aparência.
As fitas circulares/triangulares com múltiplas barras aumentam a taxa de utilização óptica da área da fita de 5% para mais de 40%; a "tecnologia de camuflagem de fita de grande angular", baseada na reflexão total, pode reduzir a poluição luminosa dentro de uma determinada faixa angular.
3. Alta confiabilidade
Este módulo também apresenta excelente desempenho em condições de baixa luminosidade e consegue manter uma geração de energia estável mesmo em ambientes com pouca luz. Isso se deve à aplicação da tecnologia abrangente de supressão da atenuação LID (Degradação Induzida pela Luz)/LeTID (Degradação Induzida pelo Potencial), que reduz efetivamente a perda de energia dos componentes em ambientes com pouca luz e aumenta ainda mais a geração de energia.
4. Tampa ultrabaixa
Atenuação no primeiro ano: 1%, atenuação anual: 0,4%. Fornece receita de geração de energia estável e de longo prazo para os clientes finais. Menor degradação com células anti-PID e materiais de encapsulamento.
| Número do produto | 550 | 555 | 560 | 565 | 570 | 575 |
| garantia de qualidade | ||||||
| garantia de qualidade do produto | 12 anos | |||||
| Potência de saída garantida | Degrada-se 0,55% ao ano durante 25 anos. | |||||
| Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | ||||||
| Potência máxima (Pmax) | 550 Wp | 555 Wp | 560 Wp | 565 Wp | 570 Wp | 575 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 41,57 V | 41,76 V | 41,94 V | 42,13 V | 42,29 V | 42,47 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 13.24 A | 13h30 A | 13,36 A | 13,42 A | 13,48 A | 13,54 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 50,26 V | 50,46 V | 50,66 V | 50,86 V | 51,06 V | 51,26 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 13,89 A | 14.07 A | 14.14 A | 14.20 A | 14,26 A | 14,32 A |
| Eficiência do componente | 21,29% | 21,48% | 21,68% | 21,87% | 22,07% | 22,26% |
| Desvio de potência (positivo) | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% | 1,50% |
| Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | ||||||
| Potência máxima (Pmax) | 417,85 Wp | 421,67 Wp | 425,39 Wp | 429,24 Wp | 432,80 Wp | 436,57 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 39,58 V | 39,77 V | 39,94 V | 40,12 V | 40,27 V | 40,44 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 10,56 A | 10,60 A | 10,65 A | 10,70 A | 10,75 A | 10,80 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 47,64 V | 47,83 V | 48,02 V | 48,21 V | 48,40 V | 48,59 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 11.28 A | 11,34 A | 11,40 A | 11h45 A | 11,50 A | 11,55 A |
| temperatura máxima de durabilidade | 42±2 °C | |||||
| características de temperatura | ||||||
| Temperatura de operação | -40~85 °C | |||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | #NOME? | |||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | #NOME? | |||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,046 %/°C | |||||
| Parâmetros de integração do sistema | ||||||
| tensão do sistema | 1000 VCC / 1500 VCC | |||||
| Corrente nominal do fusível | 30 A | |||||
| parâmetros físicos | ||||||
| Dimensões do componente (altura/largura/espessura) | 2278x1134x30 mm | |||||
| peso | 32,0 kg | |||||
| Tipo de célula | silício monocristalino | |||||
| Especificação da célula | 144×144 mm | |||||
| Quantidade de células | 144 | |||||
| tipo de vidro | Temperagem | |||||
| espessura do vidro | 3,2 mm | |||||
| tipo de borda | Liga de alumínio anodizado | |||||
| Classe de proteção da caixa de junção | IP 68 | |||||
| tipo de conector | MC4 | |||||
| Seção transversal do cabo | 4 mm² | |||||
| comprimento do cabo | 1200 mm | |||||