Tecnologia de produto 1.210+N, tecnologia i-TOPCon tipo n. Com wafers de silício tipo n como substrato, a vida útil dos portadores minoritários é maior do que a dos wafers de silício tipo p. Os wafers de silício tipo n, quando usados como substrato, não apresentam par de compostos de boro-oxigênio. Combinados com tecnologia avançada de preparação de células, a atenuação induzida pela luz é significativamente menor do que a das células tipo p. A parte traseira do PACO adota uma estrutura de contato passivado, e seu transporte de portadores é baseado no efeito de tunelamento quântico, resultando em melhor desempenho térmico da bateria.
2. Potência máxima de até 670 W+
Potência máxima de saída do módulo de até 670 W ou mais.
3. Alta confiabilidade
Excelente resistência a fissuras ocultas e desempenho anti-PID, período de garantia de potência de até 30 anos, desempenho de geração de energia bidirecional ainda melhor, taxa bidirecional de 80 ± 5%, geração de energia por watt aumentada em 3% em comparação com PERC e menor LCOE, atendendo plenamente às diferentes necessidades de clientes de estações de energia terrestres distribuídas e de grande escala, adaptando-se de forma flexível ao suporte de rastreamento, melhorando significativamente a taxa de utilização do suporte e reduzindo efetivamente o custo B0S.
4. Escolher os módulos TALLMAX é um investimento confiável e inteligente.
Os módulos TALLMAX da Trina Solar permitem que projetos solares comerciais e de grande escala alcancem economias significativas no sistema. Como uma empresa verticalmente integrada, a Trina Solar controla a qualidade dos sistemas fotovoltaicos em toda a cadeia de suprimentos, reduzindo riscos e aumentando o retorno sobre o investimento. A Trina Solar é a primeira empresa de energia fotovoltaica a receber a certificação do Programa de Dados de Teste do Cliente da UL, o que nos permite testar e publicar padrões de qualidade reconhecidos pela UL.
| Número do produto | 650 | 655 | 660 | 665 | 670 |
| garantia de qualidade | Garantia de 12 anos contra defeitos de fabricação. | ||||
| garantia de qualidade do produto | Garantia de energia de 30 anos | ||||
| Potência de saída garantida | Degradação de 1% no primeiro ano, atenuação de potência anual de 0,40%. | ||||
| Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 650 Wp | 655 Wp | 660 Wp | 665 Wp | 670 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 37,4 V | 37,6 V | 37,8 V | 38 V | 38,2 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 17,39 A | 17,43 A | 17,47 A | 17,51 A | 17,55 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 45,3 V | 45,5 V | 45,7 V | 45,9 V | 46,1 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 18,44 A | 18,48 A | 18,53 A | 18,57 A | 18,62 A |
| Eficiência do componente | 20,90% | 21,10% | 21,20% | 21,40% | 21,60% |
| Desvio de potência (positivo) | 0,50% | 0,50% | 0,50% | 0,50% | 0,50% |
| Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 492 Wp | 496 Wp | 500 Wp | 504 Wp | 508 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 34,9 V | 35,1 V | 35,3 V | 35,4 V | 35,6 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 14.09 A | 14.13 A | 14.17 A | 14.22 A | 14,26 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 42,7 V | 42,9 V | 43 V | 43,2 V | 43,4 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 14,86 A | 14,89 A | 14,93 A | 14,96 A | 15.01 A |
| temperatura máxima de durabilidade | 43±2 °C | ||||
| características de temperatura | |||||
| Temperatura de operação | -40~85 °C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,25 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,04 %/°C | ||||
| Parâmetros de integração do sistema | |||||
| tensão do sistema | 1500 V | ||||
| Corrente nominal do fusível | 30 A | ||||
| parâmetros físicos | |||||
| Dimensões do componente (altura/largura/espessura) | 2384x1303x33 mm | ||||
| peso | 33,3 kg | ||||
| Tipo de célula | silício monocristalino | ||||
| Quantidade de células | 132 | ||||
| tipo de vidro | Revestimento antirreflexo | ||||
| espessura do vidro | 3,2 mm | ||||
| Tipo de material de vedação | EVA | ||||
| tipo de borda | Liga de alumínio anodizado | ||||
| Classe de proteção da caixa de junção | IP 68 | ||||
| tipo de conector | MC4 | ||||
| Seção transversal do cabo | 4 mm² | ||||