1. Adequado para projetos distribuídos. A tecnologia avançada do módulo proporciona eficiência superior (wafer M10 dopado com gálio, fitas segmentadas integradas, célula de 9 barramentos com corte parcial). Excelente desempenho de geração de energia em ambientes externos. A alta qualidade do módulo garante confiabilidade a longo prazo.
2. Alta confiabilidade
"Utilizamos tecnologia inteligente de soldagem sem fissuras para melhorar a potência e a eficiência do módulo, ao mesmo tempo que aumentamos sua capacidade de carga. A corrente de operação do módulo é de aproximadamente 13A, o que é perfeitamente adequado para os inversores de string convencionais. Além disso, a tecnologia de dopagem com gálio supera o problema da atenuação da luz no módulo, garantindo a estabilidade da geração de energia por um longo período. A geração de energia na parte traseira do módulo empilhado apresenta uma capacidade de geração de energia abrangente maior, e o ganho de geração de energia foi verificado por clientes e terceiros. Estamos comprometidos em fornecer produtos eficientes e confiáveis para garantir aos clientes finais uma renda estável de geração de energia a longo prazo."
3. TAMPA ultrabaixa
Degradação de 2% no primeiro ano, degradação anual de 0,4% do 2º ao 30º ano. Proporciona receita estável e de longo prazo na geração de energia para os clientes finais. Menor degradação com células anti-PID e materiais de encapsulamento.
| Número do produto | LR5-72HPH-540M | LR5-72HPH-545M | LR5-72HPH-550M | LR5-72HPH-555M | LR5-72HPH-560M |
| garantia de qualidade | Garantia de 12 anos para materiais e processamento. | ||||
| garantia de qualidade do produto | Garantia de 30 anos para a saída de potência ExtraLinear. | ||||
| Potência de saída garantida | Degradação de 2% no primeiro ano, degradação anual de 0,4% do 2º ao 30º ano. | ||||
| Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 540 Wp | 545 Wp | 550 Wp | 555 Wp | 560 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 41,65 V | 41,8 V | 41,95 V | 42,1 V | 42,25 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 12,79 A | 13.04 A | 13.12 A | 13.19 A | 13,26 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 49,5 V | 49,65 V | 49,8 V | 49,95 V | 50,1 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 13,85 A | 13,92 A | 13,98 A | 14.04 A | 14.1 A |
| Eficiência do componente | 20,90% | 21,10% | 21,30% | 21,50% | 21,70% |
| Desvio de potência (positivo) | 3% | 3% | 3% | 3% | 3% |
| Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 403,6 Wp | 407,4 Wp | 411,1 Wp | 414,8 Wp | 418,6 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 38,69 V | 38,83 V | 38,97 V | 39,11 V | 39,25 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 10,43 A | 10,49 A | 10,56 A | 10,61 A | 10,67 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 46,54 V | 46,68 V | 46,82 V | 46,97 V | 47,11 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 11.2 A | 11,25 A | 11.31 A | 11,35 A | 11,4 A |
| temperatura máxima de durabilidade | 45±2 °C | ||||
| características de temperatura | |||||
| Temperatura de operação | -40~85 °C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,265 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,05 %/°C | ||||
| Parâmetros de integração do sistema | |||||
| tensão do sistema | 1500 V | ||||
| Corrente nominal do fusível | 25 A | ||||
| parâmetros físicos | |||||
| Dimensões do componente (altura/largura/espessura) | 2278x1134x35 mm | ||||
| peso | 27,5 kg | ||||
| Tipo de célula | silício monocristalino | ||||
| Especificação da célula | 182x182 mm | ||||
| Quantidade de células | 144 | ||||
| tipo de vidro | Temperagem | ||||
| espessura do vidro | 3,2 mm | ||||
| tipo de borda | Liga de alumínio anodizado | ||||
| Número de diodos de bypass | 3 | ||||
| Classe de proteção da caixa de junção | IP 68 | ||||
| Seção transversal do cabo | 4 mm² | ||||