1. adequado para projetos distribuídos, tecnologia de módulo avançada oferece eficiência de módulo superior, (wafer dopado com gálio m10 · fitas segmentadas integradas · célula de meio corte de 9 barramentos), excelente desempenho de geração de energia externa, alta qualidade do módulo garante confiabilidade a longo prazo
2. Alta confiabilidade
S"Usamos tecnologia de soldagem inteligente sem rachaduras para melhorar a potência e a eficiência do módulo, ao mesmo tempo em que aumentamos a capacidade de carga do módulo. A corrente operacional do módulo é de cerca de 13A, o que é perfeitamente adequado para inversores de string convencionais. Além disso, tecnologia dopada com gálio supera o problema de atenuação da luz do módulo, garantindo a estabilidade da geração de energia do componente de longa vida.A geração de energia na parte traseira do módulo empilhado tem uma capacidade de geração de energia abrangente mais alta, e o ganho de geração de energia foi verificado por clientes e terceiros Estamos comprometidos em fornecer produtos eficientes e confiáveis para fornecer aos clientes finais uma renda estável de geração de energia a longo prazo."
3. TAMPA ultrabaixa
Degradação de 2% no primeiro ano, degradação anual de 0,4% no 2º ao 30º ano. Fornece receita de geração de energia estável e de longo prazo para clientes finais. Menor degradação com células anti-PID e materiais de encapsulamento.
Número de produto | LR5-72HPH-540M | LR5-72HPH-545M | LR5-72HPH-550M | LR5-72HPH-555M | LR5-72HPH-560M |
Garantia da Qualidade | Garantia de 12 anos para materiais e processamento | ||||
garantia de qualidade do produto | Garantia de 30 anos para saída de energia extralinear | ||||
Saída de potência garantida | 2% de degradação no primeiro ano, 0,4% de degradação anual no 2º ao 30º ano | ||||
Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | |||||
Potência de pico (Pmáx) | 540 Wp | 545 Wp | 550 Wp | 555 Wp | 560 Wp |
Tensão operacional de pico (Vmpp) | 41,65V | 41,8V | 41,95V | 42,1 V | 42,25V |
Corrente operacional de pico (Impp) | 12,79A | 13.04A | 13.12A | 13.19A | 13,26A |
Tensão de circuito aberto (Voc) | 49,5 V | 49,65 V | 49,8 V | 49,95V | 50,1V |
Corrente de curto-circuito (Isc) | 13,85A | 13,92A | 13,98A | 14.04A | 14.1A |
Eficiência dos componentes | 20,90% | 21,10% | 21,30% | 21,50% | 21,70% |
Desvio de potência (positivo) | 3% | 3% | 3% | 3% | 3% |
Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | |||||
Potência de pico (Pmáx) | 403,6 Wp | 407,4 Wp | 411,1 Wp | 414,8 Wp | 418,6 Wp |
Tensão operacional de pico (Vmpp) | 38,69V | 38,83V | 38,97V | 39,11V | 39,25V |
Corrente operacional de pico (Impp) | 10,43 A | 10,49 A | 10,56A | 10,61A | 10,67A |
Tensão de circuito aberto (Voc) | 46,54V | 46,68V | 46,82V | 46,97V | 47,11V |
Corrente de curto-circuito (Isc) | 11.2A | 11,25 A | 11.31A | 11,35 A | 11,4A |
temperatura máxima durável | 45±2°C | ||||
características de temperatura | |||||
Temperatura de operação | -40~85°C | ||||
Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34%/°C | ||||
Coeficiente de Temperatura (Voc) | -0,265 %/°C | ||||
Coeficiente de Temperatura (Isc) | 0,05%/°C | ||||
Parâmetros de integração do sistema | |||||
tensão do sistema | 1500V | ||||
Corrente nominal do fusível | 25A | ||||
parâmetros físicos | |||||
Tamanho do componente (altura/largura/espessura) | 2278x1134x35mm | ||||
peso | 27,5kg | ||||
Tipo de célula | Silício monocristalino | ||||
Especificação de célula | 182x182mm | ||||
Quantidade de células | 144 | ||||
tipo de vidro | Temperamento | ||||
espessura do vidro | 3,2 mm | ||||
tipo de borda | Liga de alumínio anodizado | ||||
Número de diodos de bypass | 3 | ||||
Classe de proteção da caixa de junção | IP68 | ||||
Seção transversal do cabo | 4mm² |