Nossos produtos são construídos com wafers de silício M10, a melhor escolha para usinas de grande porte. Utilizamos tecnologias avançadas de componentes, incluindo wafers de silício M10 dopados com gálio, tiras segmentadas integradas e células de meia-célula com 9 barramentos. Essas tecnologias avançadas nos permitem oferecer eficiência superior dos componentes. Além disso, nossas capacidades de geração de energia bifacial foram comprovadas globalmente, garantindo confiabilidade a longo prazo. A qualidade de nossos componentes também é um diferencial importante de nossos produtos, assegurando receita estável e de longo prazo na geração de energia. Nosso compromisso é fornecer aos clientes soluções de geração de energia eficientes e confiáveis, garantindo uma receita estável para os consumidores finais.
Alta confiabilidade: Nossos produtos adotam tecnologia inteligente de soldagem sem trincas, que melhora a potência e a eficiência dos componentes, além de aumentar sua capacidade de carga. A corrente de operação do módulo é de aproximadamente 13A, ideal para inversores de string convencionais. Nossa tecnologia de dopagem com gálio supera o problema da atenuação da luz nos componentes, garantindo longa vida útil e estabilidade na geração de energia. A geração de energia na parte traseira de módulos sobrepostos apresenta maior capacidade de geração total, comprovada por clientes e terceiros.
Baixa degradação induzida por processo (PID): Nossos produtos apresentam uma degradação de 2% no primeiro ano e de 0,4% ao ano do segundo ao trigésimo ano. Esse design proporciona aos clientes finais uma geração de energia estável a longo prazo. Nossas baterias anti-PID e materiais de embalagem reduzem efetivamente a degradação, garantindo o desempenho de geração de energia do produto.
| Número do produto | LR5-72HBD-535M | LR5-72HBD-540M | LR5-72HBD-545M | LR5-72HBD-550M | LR5-72HBD-555M |
| garantia de qualidade | Garantia de 12 anos para materiais e processamento. | ||||
| garantia de qualidade do produto | Garantia de 30 anos para a saída de potência ExtraLinear. | ||||
| Potência de saída garantida | Degradação de 2% no primeiro ano, degradação anual de 0,4% do 2º ao 30º ano. | ||||
| Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 535 Wp | 540 Wp | 545 Wp | 550 Wp | 555 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 41,5 V | 41,65 V | 41,8 V | 41,95 V | 42,1 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 12,9 A | 12,97 A | 13.04 A | 13.12 A | 13.19 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 49,35 V | 49,5 V | 49,65 V | 49,8 V | 49,95 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 13,78 A | 13,85 A | 13,92 A | 13,99 A | 14.05 A |
| Eficiência do componente | 20,70% | 20,90% | 21,10% | 21,30% | 21,50% |
| Desvio de potência (positivo) | 3% | 3% | 3% | 3% | 3% |
| Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | |||||
| Potência máxima (Pmax) | 399,9 Wp | 403,6 Wp | 407,4 Wp | 411,1 Wp | 414,8 Wp |
| Tensão operacional máxima (Vmpp) | 38,7 V | 38,86 V | 39 V | 39,14 V | 39,28 V |
| Corrente operacional máxima (Impp) | 10,33 A | 10,39 A | 10,45 A | 10,51 A | 10,56 A |
| Tensão de circuito aberto (Voc) | 46,4 V | 46,54 V | 46,68 V | 46,82 V | 46,97 V |
| Corrente de curto-circuito (Isc) | 11.12 A | 11.17 A | 11.23 A | 11.29 A | 11,34 A |
| temperatura máxima de durabilidade | 45±2 °C | ||||
| características de temperatura | |||||
| Temperatura de operação | -40~85 °C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,34 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Voc) | -0,265 %/°C | ||||
| Coeficiente de temperatura (Isc) | 0,05 %/°C | ||||
| Parâmetros de integração do sistema | |||||
| tensão do sistema | 1500 V | ||||
| Corrente nominal do fusível | 30 A | ||||
| parâmetros físicos | |||||
| Dimensões do componente (altura/largura/espessura) | 2278x1134x35 mm | ||||
| peso | 32,6 kg | ||||
| Tipo de célula | dupla face | ||||
| Especificação da célula | 182x182 mm | ||||
| Quantidade de células | 144 | ||||
| tipo de vidro | Temperagem | ||||
| espessura do vidro | 2 mm | ||||
| tipo de borda | Liga de alumínio anodizado | ||||
| Número de diodos de bypass | 3 | ||||
| Classe de proteção da caixa de junção | IP 68 | ||||
| Seção transversal do cabo | 4 mm² | ||||
| comprimento do cabo | 1400 mm | ||||