1.A configuração de meio chip é outro destaque do módulo, que resulta em menos efeito de sombreamento e menor risco de pontos quentes.Isso significa que em ambientes ensolarados, os módulos conseguem captar a energia solar de forma mais eficiente, aumentando assim a geração de energia.Ao mesmo tempo, a configuração de meio chip também reduz o risco de pontos quentes, tornando o módulo mais seguro e confiável durante o uso.
2. Potência máxima de até 610 W +
Potência máxima de saída do módulo até 610W+
3. Alta confiabilidade
As baterias LID ultrabaixas têm maior potência de saída e eficiência de componentes.Devido ao seu alto fator de preenchimento, pode absorver a luz solar de forma mais eficaz, melhorando assim a eficiência de conversão fotoelétrica da bateria.Isso significa que, sob as mesmas condições de iluminação, as baterias LID ultrabaixas podem gerar mais eletricidade e aumentar a geração de energia.
4. TAMPA ultrabaixa
0,55% de degradação anual ao longo de 25 anos. Da mesma forma, a aplicação de baterias e materiais de embalagem resistentes a PID também pode reduzir o risco de degradação da bateria durante o uso.Esses materiais podem resistir efetivamente aos efeitos da degradação induzida pelo potencial (PID), prolongando assim a vida útil da bateria.
Da mesma forma, a aplicação de baterias e materiais de embalagem resistentes a PID também pode reduzir o risco de degradação da bateria durante o uso.Esses materiais podem resistir efetivamente aos efeitos da degradação induzida pelo potencial (PID), prolongando assim a vida útil da bateria.
Número de produto | JAM78S30-585/GR | JAM78S30-590/GR | JAM78S30-595/GR | JAM78S30-600/GR | JAM78S30-605/GR | JAM78S30-610/GR |
Garantia da Qualidade | ||||||
garantia de qualidade do produto | 12 anos | |||||
Saída de potência garantida | 0,45% de degradação anual ao longo de 30 anos | |||||
Parâmetros de desempenho elétrico (STC) | ||||||
Potência de pico (Pmáx) | 585 Wp | 590 Wp | 595 Wp | 600 Wp | 605 Wp | 610 Wp |
Tensão operacional de pico (Vmpp) | 44,56V | 44,8V | 45,05V | 45,3V | 45,53V | 45,77V |
Corrente operacional de pico (Impp) | 13.13A | 13.17A | 13.21A | 13,25 A | 13,29A | 13,33A |
Tensão de circuito aberto (Voc) | 53,2V | 53,3V | 53,4V | 53,5V | 53,61V | 53,73V |
Corrente de curto-circuito (Isc) | 13,88A | 13,93A | 13,98A | 14.03A | 14.08A | 14.13A |
Eficiência dos componentes | 20,90% | 21,10% | 21,30% | 21,50% | 21,60% | 21,80% |
Desvio de potência (positivo) | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% | 1% |
Parâmetros de desempenho elétrico (NOCT) | ||||||
Potência de pico (Pmáx) | 442 Wp | 446 Wp | 450 Wp | 454 Wp | 458 Wp | 462 Wp |
Tensão operacional de pico (Vmpp) | 42,69V | 42,82V | 42,94V | 43,07V | 43,21V | 43,34V |
Corrente operacional de pico (Impp) | 10,36 A | 10,42A | 10,48 A | 10,54A | 10,6A | 10,66A |
Tensão de circuito aberto (Voc) | 50,59V | 50,72V | 50,86V | 51,01V | 51,17V | 51,33V |
Corrente de curto-circuito (Isc) | 11.07A | 11.13A | 11.19A | 11,25 A | 11.3A | 11,35 A |
temperatura máxima durável | 45±2°C | |||||
características de temperatura | ||||||
Temperatura de operação | -40~85°C | |||||
Coeficiente de temperatura (Pmax) | -0,35%/°C | |||||
Coeficiente de Temperatura (Voc) | -0,275 %/°C | |||||
Coeficiente de Temperatura (Isc) | 0,045%/°C | |||||
Parâmetros de integração do sistema | ||||||
tensão do sistema | 1500V | |||||
Corrente nominal do fusível | 25A | |||||
parâmetros físicos | ||||||
Tamanho do componente (altura/largura/espessura) | 2465x1134x35mm | |||||
peso | 30,5kg | |||||
Tipo de célula | passivação traseira | |||||
Quantidade de células | 156 | |||||
Número de diodos de bypass | 3 | |||||
Classe de proteção da caixa de junção | IP68 | |||||
tipo de conector | MC4 | |||||
Seção transversal do cabo | 4 mm2 | |||||
comprimento do cabo | 1500 milímetros |